بررسی عملکرد جفتگرهای نانو رشته ای دی الکتریک بااستفاده از روش هایcmtوfdtd

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده علوم پایه
  • نویسنده زهرا قایدی جهرمی
  • استاد راهنما حسن فاطمی
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1390
چکیده

در این پایان نامه، عملکرد نانو جفتگرهای اپتیکی متشکل از نانو رشته هایی از جنس های سلیکا، سلیکون و تلوریت مورد بررسی قرار گرفت. برای این کار از روش تئوری مد جفت شده‎(cmt)‎و روش تفاضل محدود در حوزه زمان‎(fdtd)‎ استفاده شد. پس از بررسی دو روشcmtو‎fdtd‎ و رسیدن به روابط مورد نیاز برای محاسبه پارامترهای جفت شدگی در این نانو جفتگرها، به بررسی ویژگی های پارامتری فیزیکی مورد نیاز برای طراحی و ساختن آنها پرداخته شد. بدلیل وابستگی پارامترهای جفت شدگی در این نانو جفتگرها، به قطبش نور جفت شده به یکی از نانو رشته های سازنده آنها، قبل از بررسی این نانو جفتگرها، اثر قطبش نور جفت شده به یک نانو رشته از جنس سلیکا به روش‎fdtd‎بررسی شد. سپس اثر قطبش نور منتشره در یکی از بازوهای آن بر روی پارامترهای جفت شدگی اش بدست آورده شد. با بکار گیری روش ‎(cmt)‎ طول جفت شدگی بهینه در نانو جفتگرهای ساخته شده از دو نانو رشته موازی هم، که در ازای آن می توان بیشترین توان را از یکی از نانو رشته ها به دیگری انتقال داد، محاسبه شده است. همچنین، با به کار گیری روش ‎fdtd‎ به محاسبه بازده جفت شدگی در نانو جفتگر های مفروض پرداخته شده است. با بکارگیری روش های فوق، اثر اندازه قطر نانو رشته های بکار رفته در ساختن نانو جفتگرهای فوق برروی پارامترهای جفت شدگی آنها نیز مطالعه شد. نتایج بدست آمده از بکارگیری این دو روش، بیانگر نکات قابل توجهی می باشد که می توانند استفاده کاربردی در طراحی و ساختن اینگونه نانو جفتگرهای دی الکتریکی که کاربردهای روز افزونی در مطالعات میکرو ونانو اپتیک و تکنولوژی فوتونیک دارند، داشته باشند.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی ساختاری و ریزساختاری نانو ذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم – مس تولید شده به روش مکانوشیمیایی

در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (CCTO) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیه‌ی فلورسانس اشعه‌ی X (XRF) و تجزیه‌ی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعه‌ی X (XRD) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازه‌ی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) انجام گرفت. نتایج تجزیه‌ی XRF نشان داد که میزان آلودگی وار...

متن کامل

بررسی ساختاری و ریزساختاری نانو ذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم – مس تولید شده به روش مکانوشیمیایی

در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (ccto) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیه ی فلورسانس اشعه ی x (xrf) و تجزیه ی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعه ی x (xrd) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازه ی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) انجام گرفت. نتایج تجزیه ی xrf نشان داد که میزان آلودگی وار...

متن کامل

مطالعه خواص نوری یک نانو ذره پلاسمونیک روی یک لایه دی الکتریک

با مطالعه قطبش پذیری یک نانو ذره ی فلزی کروی برروی یک لایه ی دی الکتریک، خواص نوری سیستم بررسی می شود. از آنجا که اندازه نانوذره خیلی کوچکتر از طول موج نور فرودی است، با حل معادله لاپلاس، پتانسیل الکتریکی در نواحی مختلف برحسب چندقطبیها بسط داده می شود. با استفاده از تانسور قطبش پذیری، عباراتی برای قطبش‌پذیری ‌های موازی و عمود بدست آمده و سپس نتایج عددی مورد بحث قرار می گیرند. علاوه بر اثر انداز...

متن کامل

بررسی و محاسبۀ نیروی کازیمیر بین سطوحِ زبرِ دی الکتریک

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...

متن کامل

تحلیل و شبیه سازی لنز چندلایه ی عرضی دی الکتریک

روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...

متن کامل

بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی

In this paper, we studied the optical behavior of SiO2 thin films prepared via sol-gel route using spin coating deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) as precursor. Thin films were annealed at different temperatures (400-600oC). Absorption edge and band gap of thin layers were measured using UV-Vis spectrophotometery. Optical refractive index and dielectric constant were measured by ell...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده علوم پایه

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023